Технология Micron и Intel позволит делать компактные и вместительные твердотельные накопители

Компания Micron в сотрудничестве с Intel разработали технологию 3D NAND, которая позволит создавать компактные твердотельные накопители с высокой вместимостью данных.

Первые образцы представляли собой 32 слоя вертикально расположенных ячеек памяти, благодаря конструкции и взаимодействию, удалось не только увеличить энергоэффективность и сохранить компактность, но и добиться значительного прироста объема хранящихся данных.

Компактные твердотельные накопители для мобильных устройств, созданные по подобной технологии, имели вместимость 3,5 Тб, что значительно превосходит существующие аналоги. Большие накопители позволяют вмещать значительно больше – от 10 Тб.

При этом нам обещают, что стоимость подобных накопителей не будет отличаться от текущих. Лето 2015 года нам обещают представить первые образцы устройств с памятью выполненной по текущей технологии.